普通中走絲落實落細，馬來(lái)西亞國(guó)民大學(xué)提出了一種基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝制造超薄薄膜的方法[11-12]。他們利用SiO2層作為犧牲層來(lái)形成絕對(duì)壓力空腔攜手共進，氧化層的釋放需要利用通道孔讓腐蝕劑BOE進(jìn)入氧化層對(duì)其進(jìn)行腐蝕共同。

普通中走絲，然后采用LPCVD淀積氮化硅來(lái)密封通道孔經過，從而形成厚度僅為2 μm的傳感器薄膜簡單化。這種加工技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)在于傳感器可以單片集成，可以使用集成電路（IC）工藝進(jìn)行制備明確了方向。

因此系統性，傳感器可以和讀取電路、通信系統(tǒng)等集成單產提升。同時(shí)傳遞，淀積形成的僅為0.3 μm的空腔高度可以使傳感器獲得很大的電容式變化值。

普通中走絲勞動精神，該傳感器的測(cè)壓范圍在10 mmHg～75 mmHg（13～100 kPa)之間開展攻關合作，很適宜測(cè)量人體內(nèi)的小量程壓力，可用于青光眼的治療預下達。但由于LPCVD的真空度不高自行開發，所以絕壓空腔實(shí)際上并沒(méi)有達(dá)到真空等級(jí)，這會(huì)削弱傳感器的測(cè)試精度責任。美國(guó)ISSYS公司在MEMS器件真空封裝方面很出色應用情況。該公司致力于高真空度的空腔制作技術(shù)，制作的空腔真空度小于10-4 Torr組建。