中走絲割鋁產能提升，縱觀國內(nèi)外關(guān)于小量程電容式壓力傳感器的報道適應性，傳感器的空腔間隙和可動極板厚度都很小通過活化；為了滿足小量程壓力測量對靈敏度和線性度的要求落地生根，在減薄壓敏極板厚度的同時會相應縮小芯片尺寸。相關(guān)研究集中在傳感器制備工藝的改良健康發展、傳感器結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新以及測量電路的優(yōu)化三個方面有效保障。

中走絲割鋁，傳感器工藝改良長效機製，工藝上控制超薄膜片的內(nèi)應力很難相結合。為了解決這個問題，多晶硅被選擇用來作為小量程MEMS電容式壓力傳感器的可動極板材料製高點項目。選用多晶硅有如下優(yōu)點：

典型的多晶硅是通過LPCVD(低壓化學氣相淀積)形成的為產業發展，淀積厚度可以控制得很小，很容易形成超薄的可動極板有所增加；

中走絲割鋁各項要求，經(jīng)過退火處理，多晶硅可以形成低應力的薄膜越來越重要的位置，削弱可動極板內(nèi)應力對小量程測壓的影響新技術；摻雜之后的多晶硅導電，使壓敏極板有固定電勢順滑地配合，無需引入額外的電極深入。此外，薄膜淀積工藝與犧牲層釋放工藝也被廣泛用來制作間隙很小的空腔前沿技術。在此基礎之上基礎，人們不斷摸索，以求工藝的合理與簡化多種方式。